IC > メモリ
プログラムやデータを記憶する装置のこと。 一般的にはRAM等の半導体記憶装置のことをさす。
IntelとMicron Technologyが共同で開発した不揮発性メモリ。 シングルダイの記憶容量は128Gbit。 2020年現在で製造しているのはIntelのみ。
Intelのストレージ製品とメモリモジュール製品に搭載されている。
PCのメモリモジュールの一つ。 基板の片面または両面にDRAMが並ぶ。 いくつか規格があるが一般的にはJEDEC規格のものをさす。
RDIMM
レジスタードメモリ。
システム側のメモリコントローラとメモリチップの間にレジスタ(記憶装置)を設けたもの。
容量が大きい。
サーバ用。
UDIMM
アンバッファドメモリ。レジスタはない。
一般用。
Erasable Programmable Read Only Memory. ROMの一種。
MOSトランジスタのフローティングゲートに高電圧で電子を注入することにより書き込みをおこなう。 電子は電源を切っても消去されない。 消去は紫外線を照射しておこなう。
High Bandwidth Memory.
当初はAMD、Hynix(メモリーチップ)、UMC(Silicon Interposer)、Amkor(実装)の4社の共同開発による独自規格。 2013年にJEDECが標準化を提案、2015年にJESD235Aとして規格化した広帯域メモリ。GDDR5の後継。
TSV技術によるダイスタッキングを前提とする。 データバスは1024bit。信号速度は2Gbit/pin。
| 第1世代 | 1Gbps |
| 第2世代 | 2Gbps |
Joint Electron Device Engineering Council.
合同電子デバイス委員会。 半導体分野で規格の標準化を行っている業界団体。 またはこの団体が策定する規格のこと。EIAに属する。
NANDを参照。
1986年に東芝の舛岡氏が発明したフラッシュメモリ。 NORより高集積が可能。
NOR型と比べると書き込み、消去は速いが、読み込みは遅い。またランダムアクセスが苦手。 2018年現在のフラッシュメモリはほとんどがNAND型。
アクセスはブロック単位。
SDカード、USBメモリ、PC用SSD等に使われる。
SLC
シングルレベルセル。
セル当たり1ビットの情報が保存できる。
読み書きは高速。耐久性は高く10万回の読み書きが可能。
密度が低いためコストが高く、容量は小さい。
MLC
マルチレベルセル。
セル当たり2ビットの情報が保存できる。
寿命は短く読み書きは1万回。
多くのSSDに使われる。
TLC
トリプルレベルセル。
セル当たり3ビットの情報が保存できる。
読み書きは3000回。コストは安く済む。
QLC
クアッドレベルセル。
セル当たり4ビットの情報が保存できる。
読み書きは500-1000回。
3D NAND
セルを垂直に積み重ねたもの。
メモリ密度、耐久性ともに高い。
Rambus In-line Memory Module. メモリモジュールの一つ。 RIMMのメモリチップ、RDRAMに採用。
Read Only Memory.読み出し専用メモリの総称。不揮発メモリ。 BIOSなどに使われる。
マスクROM
製造時にデータを組み込むROM。
PROM
Programmable ROM.ユーザが書き込みできるROM。
いったん書き込むと消去はできない。
EPROM
Erasable PROM.ユーザが書き込みできるROM。
必要に応じてデータを消去できる。
パッケージについているガラス窓に紫外線を当てると消去できる。
EEPROM
electrically erasable PROM.フラッシュメモリとも呼ばれる。
いったん書き込んだデータは電気的に消去することができる。
PCのメモリモジュールの一つ。 DRAMが片面に4個または8個単位で並んだ基板。
PCのメインボードまたは専用ソケットに取り付けるだけで増設できる。
端子は初期は30ピン、のちに72ピンになった。
端子は両面にあるが裏表で信号は同一。
後継はDIMM。
NANDを参照。
Serial Presence Detect. メモリの仕様をシステム側に伝えるための仕組み。
Through Silicon Via. シリコン貫通電極のこと。
USB端子に接続して利用するフラッシュメモリ。 小型で利便性が高いが、情報を盗難される、USBメモリを介したウイルス感染等のリスクも伴う。
Extreme Memory Profile. インテルの提唱する独自のメモリ拡張規格、メモリプロファイル。
磁心記憶。 環状磁心の2種の磁化状態(右回り、左回り)を利用し情報を記憶する方式。
半導体メモリに置き換えられるまで使用されてきた。
不揮発性メモリの一種。電気的に全部または一部分を消して書き直すことができる。 カメラのフラッシュのように一瞬でデータを消せることが名前の由来。 ブロック単位で書換えが可能。書換え回数は上限がある。
NOR型とNAND型がある。
NOR
1980年に東芝の舛岡氏が発明。
NANDと比べると読み取りが速い。
コストが高く、書き込みが遅い。また消費電力が大きい。
プログラム記録、実行に用いられる。
ROMの一種。コストが安く大容量化しやすいため普及した。 通常ROMという場合はこれをさす。 製造と同時に内容が記録される。
ビデオゲームのROMカートリッジ等多方面で使用された。
マスクは「フォトマスク」と呼ばれる部品に由来する。
メモリとメモリコントローラ間の接続のこと。 一般的なUDIMMの場合は64bitのバス幅で接続している。
メモリタイミング/クロック信号の周波数のこと。